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製品
Si 単結晶ターゲット、N 型、アンドープ、(100) ori.、3 インチ dia x 6.0 mm、ファイン グラウンド、R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
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TG-SiU76D60CN:
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以前:
Si 単結晶ターゲット、P ドープ (100) 3" x 4.0 mm、未研磨-TG-SiPa76D40CN次:
ZnS ターゲット、99.99%、直径 4" x1/8"、銅バッキング プレート付き
製品の詳細
Si 単結晶ターゲット、N 型、アンドープ、(100) ori.、直径 3 インチ x 6.0 mm、微粉砕、R>1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
- 材質:Si単結晶、N型、アンドープ
- 方向: (100)
- サイズ: 3" 直径×6.0mm厚
- 表面研磨:細挽き
- 抵抗率: >1000 ohm.cm