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製品
Si 単結晶ターゲット、N 型、アンドープ 4"x0.25"、研磨なし R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
Model Number:
TG-SiU101D635CN:
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製品の詳細
Si 単結晶ターゲット、N 型、アンドープ 4"x0.25"、研磨なし R:>1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
- 素材:Si単結晶、アンドープ
- オリエンテーション: 該当なし
- サイズ: 4" 直径×厚さ0.25インチ。
- 表面研磨:未研磨
- 抵抗率: >1000 ohm.cm