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sputtering-target
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BiFeO3 ターゲット、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチ、銅 (Cu) バッキング プレート (厚さ 0.111 インチ) に接着
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導電性セラミック ターゲット (1" Dx 0.3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
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GaNターゲット、99.99% 15mmx3.0mm、TG-GaN15D30CN
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蒸着用 CaF2 単結晶、5x5x5 mm カット
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蒸着用 CdWO4 単結晶、5x5x5 mm カット
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蒸着用GaAs単結晶、5x5x5mmカット
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薄膜電池の正極用 LiFePO4 ターゲット
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薄膜電池の正極用 LiMn2O4 ターゲット
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薄膜電池の正極用 LiNiCoMnO2 ターゲット
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蒸着用MgF2単結晶 2.8~6mmm 単位:グラム
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蒸着用MgO単結晶、5x5x5mmカット
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Si 単結晶ターゲット、N 型、アンドープ 4"x0.25"、研磨なし R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
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ZnS ターゲット、99.99%、直径 4" x1/8"、銅バッキング プレート付き
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Si 単結晶ターゲット、N 型、アンドープ、(100) ori.、3 インチ dia x 6.0 mm、ファイン グラウンド、R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
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Si 単結晶ターゲット、P ドープ (100) 3" x 4.0 mm、未研磨-TG-SiPa76D40CN